핵심기술
한계를 뛰어넘는 ALD 기술의 진화
증착 Cycle
- Source Precursor 주입 → Core Metal 표면 흡착
- 불활성 가스 주입 → 미 반응 부산물 제거
- Reactant Gas (O , N , H , NH 등) 주입
-> Atomic Layer 성막 - 불활성 가스 주입 → 미 반응 부산물 제거
Source Precursor 흡착
Reactant Gas 흡착
정밀한 두께/조성 및 균일한 증착
- 증착 Cycle 조절을 통한 원자층 단위 정확한 두께 조절 가능
- 산화물, 질화물, 금속 박막 증착 가능
- 높은 증착 균일도 및 고순도막 증착
- Conformal한 증착으로 나노 단위 미세 Pattern
및 3D 구조에도 고품질 박막 증착
정밀한 다층 증착으로 목표 두께 형성
기존 박막 형성 방식의 한계
균일하지 않은 기존 PVD, CVD 방식
Overhang 발생시,
얇은 부분으로 전자 누설 → 두께 균일화 필요
누설 전류 증가로 소모 전력 증가
얇은 부분으로 전자 누설 → 두께 균일화 필요
누설 전류 증가로 소모 전력 증가
ALD의 균일 박막 우수성
Atomic Level Control
Low temperature
Excellent Step Coverage
3D Structure
낮은 온도에서도 3D Structure 및 높은 단차에서도 균일한 원자 단위의 고품질 박막 증착
시분할 ALD (TD-ALD)
-
분할 방식
반응 가스 순차 주입
-
원리
하나의 챔버(반응기) 내 시간 단위로
A 가스 → 퍼지 → B 가스 → 퍼지 반복 -
대표장비구조
단일 Single 기판 및 다수 Batch ALD System
-
장점
박막 두께 정밀제어 ↑ / 균일도 ↑
-
적합 공정
정밀한 제어를 위한 반도체 고품질 박막, 다층막 공정
출처 : https://www.atomiclimits.com
공간분할 ALD (SD-ALD)
-
분할 방식
공간적으로 분리된 영역에 Precursor 동시 주입
-
원리
기판이 움직이며 A/B 가스 존을 차례로 통과
-
대표장비구조
Multi Zone 플로우, 연속형 (Spatial Reactor)
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장점
처리량(Throughput) ↑ / 공정 속도 ↑
-
적합 공정
대량생산, Display or Perovskite 대면적 기판
ALD 시장규모
고정밀, 고품질의 반도체 수요에 따른 시장 성장,
582억 달러까지 확장되는 시장 규모
582억 달러까지 확장되는 시장 규모
ALD 시장 현황
시장규모
582억 달러시장 성장률
CAGR 11.89%국산화율
20% 미만
ALD (Atomic Layer Deposition) 시장 규모
ALD (Atomic Layer Deposition) 장비 시장 점유율
