양산용 ALD | 넥서스비 Nexus-T-Max 고효율 원자층 증착 시스템

사업영역

Product

Nexus T-Max

Nexus T-Max (시간분할 ALD)

반도체용 시간분할 ALD

정밀 단일/다층 박막 증착 및 불순물 Free

신규 Memory/Logic 공정 적용 장비

- 다중 샤워헤드 적용을 통한
  Precursor간 Mixing 방지
- 타 증착 시스템과의 연동을 통한
  Hybrid 시스템 적용
- 단일 또는 다층 산화/질화/금속박막의
  정밀한 두께 제어

양산용 ALD

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다중 샤워헤드 적용을 통한
고품질 단일/다층 박막 증착 품질 극대화

Display용 시간분할 ALD (2in1)

2매 동시 공정을 통한 고생산성 (2-in-1)

신규 OLED Display 공정 적용 장비

- 동일 챔버내 2매 동시 진행으로 생상성 향상
- 생산 물리적 공간 확보 및 시간당
  처리량 향상
- 높은 생산성과 정밀한 박막 생성

양산용 ALD

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공간 분할 기술로
차세대 고품질 고생산성 디스플레이 공정 적용

Item	Description
Chamber Type	Showerhead Type
Reaction Type	Plasma (O2, N2, NH3, H2) & Thermal (DIW, O3)
Substrate Size	12 inch (300 mm)
Substrate Access	Using Loadlock
Uniformity	≤ ±2 % (Within 25 point EE15 mm) ≤ ±1 % (Wafer to Wafer)
Cycle Time	≤ 5 sec/Cycle
Growth Per Cycle	≤ 1.2Å/Cycle
Deposition Rate	≥ 15Å/min (Ref, Al2O3)
Tact Time (@50 nm/1PM)	≤ 37 min (Loading to Unloading)
Plasma Power Source	RF 13.56 MHz, CCP Type, 1,000 W
Base Pressure	≤ 5.0 x 10-3 Torr (≤ 5 min)
Process Pressure	0.5 ~ 2 Torr
Substrate Temperature	Max. 400 ℃, ≤ ±1 % (On Set Temp.)
Materials	Chamber : Al6061 / Heater : Al or SUS Block Heater
Gas Box	Source Canister (4 set) Reactant Canister (1 set_DIW) Reactant Gas Line (5 set_O2, H2, N2, NH3)
Available Deposition Film	Metal Oxide by O2 Plasma / DIW / O3 Metal Nitride by NH3, N2, H2 Plasma Metal by H2 Plasma
O3 Generator (Option)	210 g/m3, 2 L/min
Vacuum Gauge	Baratron Gauge (<10 Torr)
Pump Type ETC	Dry Pump (>20,000 LPM)
ETC	By-pass Line at each Feeding Line / Laptop Control

Item	Description
Growth Per Cycle [Å/Cycle]	0.8
Cycle Time [sec]	0.85
Deposition Rate [Å/min]	60 ~ 70
Refractive Index	>1.60 (Glass) >1.57 (Si)
Uniformity [%]	<3.2
O/Al Ratio	1.60
Step Coverage [%]	Side : 95 / Bottom : 96
Transmittance [%]	98
WVTR [g/m²·day]	Single Layer	4 × 10⁻³, 5 × 10⁻⁴
WVTR [g/m²·day]	Nano Laminate	<5 × 10⁻⁵
Surface Roughness [RMS: Å]	2.1
Stress [MPa]	+250
Hydrogen Contents [%]	14
Area Density [atoms/cm²]	4.53 × 10¹⁷

Item		Description
Dimension (Width × Length × Height)		2500 mm × 1490 mm × 1600 mm
Gas Injection Type		Showerhead Flow
Chamber Material & Finishing		Al6061, Hard anodizing (40 ㎛)
Susceptor	Capability	Temperature : RT ~ 350 ℃
	Uniformity	± ≤ 1% @ Set point
	Material	Al6061
	Life time	≥ 1 year
Temperature Control	Chamber wall	Max 120 ℃
	Showerhead	Max 150 ℃
	Gas line	Max 150 ℃
	Pumping line	Max 150 ℃
Vacuum Performance	Ultimate Pressure	≤ 10 mTorr
Vacuum Performance	Leak Rate	≤ 2 mTorr/min

Item		Description
Process Type		Thermal Spatial Divide ALD
Glass Size [mm]		730 × 920 (G4.5)
PM Foot Print [mm]		4480 × 3760 × 3T
Area of Foot Print [m²]		≥ 1.5
Ratio of Foot Print		≤ 3
Cycle Time [sec]	200 mm/sec	11.4
	400 mm/sec	6.7
	600 mm/sec	5.1
	800 mm/sec	4.3
GPC [Å/Cycle]		1
Target Thickness [Å]
Process Time [sec / sheet]	200 mm/sec	213.7
Process Time [sec / sheet]	400 mm/sec	125.6